SiC SBD芯片及器件
簡介：
產(chǎn)品參數(shù)：
| 反向重復峰值電壓（V） |
1200-3300 |
| 正向電流（A） |
10-50 |
| 運行結溫（℃） |
-40-150 |
應用：
軌交、電網(wǎng)、光伏等。
SiC MOSFET芯片
簡介：
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中車第4代中低壓SiC MOSFET芯片，為溝槽柵結構，采用窄線寬技術，柵氧電場屏蔽技術，內(nèi)置柵極電阻。芯片具有低比導通電阻，高開關頻率，高可靠性，高魯棒性等特點；
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中車第3.5代中低壓SiC MOSFET芯片，為精細平面柵結構，采用高可靠性柵氧技術，短溝道技術，內(nèi)置柵極電阻。芯片具有低溫度系數(shù)，高開關頻率，低開關損耗等特點；
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中車第2代高壓SiC MOSFET芯片,采用平面柵結構,高耐壓終端技術,芯片內(nèi)置柵電阻;芯片具有低開關損耗,高工作頻率的特點。
產(chǎn)品參數(shù)：
| 擊穿電壓（V） |
750-3300 |
| 正向電流（A） |
30-175 |
| 運行結溫（℃） |
-40-175 |
應用：
高壓SiC MOSFET芯片適用于軌交領域。
中低壓SiC MOSFET適用于新能源汽車、充電樁、OBC等領域。
SiC器件和模塊
簡介：
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中車SiC模塊采用中車第3.5代精細平面柵SiC MOSFET,具有低開關損耗,高工作結溫,低導通電阻等特點,配合銀燒結、銅線鍵合等先進互連封裝工藝,產(chǎn)品具備足夠的魯棒性。涵蓋750V至3300V電壓范圍,適用于電動汽車及軌道交通領域。
產(chǎn)品參數(shù)：
| 額定電壓（V） |
750-3300 |
| 額定電流（A） |
40-1000 |
| 工作結溫（℃） |
150-200 |
應用：
軌交、電網(wǎng)、新能源汽車主驅(qū)、OBC、充電樁。